7月12日上午，由磁性分子与磁信息材料教育部重点实验室举办的“中韩氧化物基阻变存储器”研讨会（China-Korea Workshop on Oxide-based Resistive Random Access Memories）在我校实验楼三层学术沙龙成功举办。会议由我校副校长、材料科学研究院院长许小红教授主持，材料科学研究院全体师生和来自韩国外国语大学的六位教授和博士参加了此次研讨会。来自韩国外国语大学的刘春莉教授、贾悦发博士、Deokhyeon Kim博士和我院的张会生博士、周国伟博士做了五场精彩的报告。此次研讨会不仅围绕阻变存储器目前的研究现状以及存在问题讨论了在电场作用下具有p-n结特性的ZnO基阻变存储器具有自整流特性，从而为解决困扰业界的串扰电流问题提供了解决思路，而且还讨论了最近炙手可热的二维材料如锡烯的量子反常和自旋霍尔效应，以及复杂氧化物异质结的界面特性、磁性能、超导性能和催化特性等。五位报告人巧妙的实验设计、精细的界面结构控制，以及优异的自整流阻变性能、界面超导特性和催化性能让在场师生们受益匪浅，可以为他们未来的科学研究提供一定的思路。报告结束后，五位报告人耐心回答了师生们的有关问题，并参观了实验室。
此次研讨会不仅大力推动了国家自然科学基金中韩国际合作与交流项目的实质性进展，而且增进了合作双方的相互了解，从而可以为未来相互协作、取长补短、进一步加强实质性合作、产出更多更好的科研成果奠定坚实的基础。
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| 副校长许小红教授主持研讨会 |
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| 韩国外国语大学刘春莉教授作报告 |
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| Deokhyeon Kim、贾悦发、周国伟、张会生四位博士作报告 |
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| 部分与会代表合影 |
