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层状磁性材料MnSb2Te4、MnBi2Se4和MnSb2Se4的磁性拓扑态

【2021年06月15日 08:00 点击:次 】

拓扑绝缘体的发现丰富了人们对新奇量子物质态的认识这是由于在拓扑绝缘体中,样品的表面存在受到拓扑保护的表面态。更引人注目的是,磁性和拓扑能带的结合可以产生多种新奇的拓扑量子态。最近报道的层状MnBi2Te4就是兼具磁性与拓扑特性的三维磁性拓扑绝缘体,该材料可看作是将反铁磁材料MnTe插层到三维拓扑绝缘体Bi2Te3理论和实验结果表明MnBi2Te4相邻两层之间是反铁磁耦合,这种特殊的磁构型导致其层状体系中存在两种截然不同的量子现象:奇数层的MnBi2Te4具有量子反常霍尔效应,而偶数层MnBi2Te4表现为轴子绝缘体。因此,寻找更多的且实验可能制备的层状材料是人们非常关心的话题。

张会生副教授与合作者报道了一类MnBi2Te4晶体结构相且具有拓扑特性的层状磁性材料MnSb2Te4MnBi2Se4MnSb2Se4如图(a具体的研究结果发现,通过施加一定的应力可将反铁磁态的MnSb2Te4MnBi2Se4MnSb2Se4变成三维磁性拓扑绝缘体如图(b对于铁磁态MnSb2Te4是一种IIWeyl半金属,在费米能级附近存在一对Weyl如图(c;对于铁磁态的MnBi2Se4MnSb2Se4体系施加较小的压力时,这两个体系可变成Weyl半金属。此外研究还发现,层状铁磁的MnBi2Se4MnSb2Te4中也可以实现量子反常霍尔效应。以上结果表明,MnBi2Te4类材料MnSb2Te4MnBi2Se4MnSb2Se4中存在丰富的磁性拓扑态。在该工作完成后,实验报道用MBE方法成功制备MnSb2Te4铁磁薄膜,其居里温度为45-50 K且发现该材料存在拓扑特性。

研究成果以《Tunable topological states in layered magnetic materials of MnSb2Te4, MnBi2Se4, and MnSb2Se4》为题发表于Phys. Rev. B期刊上。

全文链接:https://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.103.094433

 

(a) MnBi2Te4材料的晶体结构; (b) 反铁磁类MnBi2Te4材料的拓扑特性; (c) 铁磁类MnBi2Te4材料表现出具有一对外尔点的半金属特性。