电致阻变效应最大的应用前景是随机存储器；巨磁电阻效应的发现催生了自旋电子学这一新兴学科，从而在信息存储、处理和传输方面具有广阔的应用前景。目前磁电阻效应已经在现代计算机、存储器等方面得到了广泛应用。若能在一个体系中同时实现电致阻变和磁电阻效应，将进一步拓宽它们的应用空间。
李小丽副教授利用ZnO具有稳定阻变的特性和纳米结构ZnO-Co材料具有大的室温磁电阻效应的特性，设计并采用磁控溅射制备了以ZnO和ZnO-Co材料作为复合功能层的器件。该器件表现双极性电致阻变特征，这与外界电刺激下氧离子迁移导致的氧空位的积累以及ZnO-Co层中Co颗粒的存在有关。电致阻变形成的高、低阻态器件均表现出室温磁电阻效应。该工作采用简单容易的制备方法，通过电场和磁场的共同调控，获得了四个电阻态，可以为未来设计制备新型多功能器件提供重要参考。
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代表论文：Scientific Reports, 6, 31934 (2016) 论文链接：http://www.nature.com/articles/srep31934 |
