石墨烯和六角氮化硼组成的面内连接金属/绝缘体异质结作为第一种实验合成的二维单原子层厚异质材料，在场效应管、二维原子薄膜集成电路等有极大的应用前景。
在异质材料中，界面效应对器件性质具有非常重要的影响，是器件应用化路程中不可避免的问题之一。张均锋副教授与合作者通过第一性原理理论计算，研究了石墨烯/六角氮化硼面内异质结不同类型的一维界面。发现通过Clar’s规则修饰后的界面不仅可以降低界面形成能，同时还可以消除界面剩余电荷进而削弱内建电场。对于考察的所有类型界面，符合Clar’s规则的都具有较低的形成能、一定的界面宽带同时具有半导体的性质。此理论结果和实验观测非常一致，纠正了之前关于扶手椅型界面的体系具有半导体性质，而剪刀型界面体系具有金属性质的理论结论，对于理论界面研究和实验观测都具有重要的参考价值和指导意义。
论文以《Structural and Electronic Properties of Interfaces in Graphene and Hexagonal Boron Nitride Lateral Heterostructures》为题发表于Chemical of Materials上。
代表论文：Chem. Mater.2016, 28, 5022−5028
全文链接：http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/acs.chemmater.6b01764
