2019年11月27日上午，香港中文大学深圳分校理工学院的周艳教授应邀来我实验室开展学术交流，在实验楼725教室，周艳教授做了题为《新型材料中的斯格米子研究》的学术报告，报告由材料科学研究院副院长王芳教授主持，山西师范大学副校长、材料科学研究院院长许小红教授及研究院全体师生聆听了本次报告。
斯格米子是具有拓扑保护性质的自旋结构，从最初发现存在于低温和外加磁场条件下的B20结构磁体中，到目前已经被证实可以在常温下稳定存在于界面处有强自旋轨道耦合的多层薄膜中，斯格米子研究得到了人们越来越多的重视。在新一代的信息处理器件如：赛道存储器、逻辑计算器件、类晶体管功能器件和纳米微波振荡器等方面具有巨大的潜在应用。报告会上，周艳教授首先讲述了斯格米子产生的物理机制，观测手段、驱动方式、拓扑特性以及主要的潜在应用；随后详细介绍了他们团队在斯格米子驱动以及消除斯格米子的霍尔效应方面所作的一些工作。他们团队主要考虑了在铁磁体系、反铁磁体系以及阻挫体系中斯格米子的驱动问题，通过设计不同构型的材料来控制斯格米子的运动；对于驱动斯格米子而面临的霍尔效应问题，他们提出了两个具有反铁磁耦合的斯格米子，可以利用自身的耦合，消除马格努斯力，使得处于两层磁性薄膜中的斯格米子直线前进；进而还考虑了在反铁磁层薄膜材料中运行的斯格米子，由于反铁磁材料本身的特点而没有霍尔效应。此外，周艳教授还介绍了他们的最新计算结果：两个手性相反的斯格米子在相互靠近、湮灭时，可以释放出具有可观能量的自旋波，类似于物理上的正负电子的湮灭过程，具有非常丰富的物理内涵。
周艳教授的报告让在场师生对斯格米子这种新型的信息存储磁性单元有了更全面、深入的认识。报告结束后，周艳教授耐心解答了师生们的有关学术问题，并与部分师生进行了深入交流和探讨。
周艳教授做报告
